Приказ основних података о документу

Photoacoustic investigations of thermal and electronic properties of single crystal Ge doped with Cr

dc.creatorVasiljević Radović, Dana
dc.creatorNikolić, Pantelija M.
dc.creatorRadulović, Katarina
dc.creatorBojičić, Aleksandar I.
dc.creatorLuković, Danijela
dc.creatorSavić, Slavica
dc.creatorVujatović, Stevan S.
dc.creatorBlagojević, Vladimir D.
dc.creatorLukić, Lazar S.
dc.creatorUrošević, D.
dc.date.accessioned2020-11-25T18:00:49Z
dc.date.available2020-11-25T18:00:49Z
dc.date.issued2005
dc.identifier.issn1155-4339
dc.identifier.urihttps://dais.sanu.ac.rs/123456789/9554
dc.description.abstractA high purity single crystal Ge with a (1 1 1) orientation was doped with Cr. A thin film of Cr was evaporated and then diffused into Ge substrate. The photoacoustic PA amplitude and phase spectra were measured and numerically analyzed. The substitution of Cr in Ge produces a compensation effect.en
dc.publisherE D P Sciences, Les Ulis Cedex A
dc.rightsrestrictedAccess
dc.sourceJournal de physique IV
dc.subjectGe
dc.subjectCr
dc.subjectthin films
dc.subjectdoping
dc.subjectphotoacoustics
dc.titlePhotoacoustic investigations of thermal and electronic properties of single crystal Ge doped with Cren
dc.typearticle
dc.rights.licenseARR
dcterms.abstractВујатовић, Стеван С.; Урошевић, Д.; Лукић, Лазар С.; Савић, Славица; Николиц, Пантелија М.; Луковић, Данијела; Бојичић, Aлександар И.; Радуловић, Катарина; Васиљевић Радовић, Дана; Благојевић, Владимир Д.;
dc.citation.spage435
dc.citation.epage438
dc.citation.volume125
dc.identifier.wos000230014700103
dc.identifier.doi10.1051/jp4:2005125102
dc.identifier.scopus2-s2.0-33645088225
dc.type.versionpublishedVersion
dc.citation.other125: 435-438
dc.identifier.rcubhttps://hdl.handle.net/21.15107/rcub_dais_9554


Документи

Thumbnail
Име:
Vasiljevic-Radovic_Journal-de- ...
Величина:
248.6Kb
Формат:
PDF
Отварање

Овај документ се појављује у следећим колекцијама

Приказ основних података о документу